?碳化硅器件产业链主要包括衬底、外延、器件制造（设计、制造、封测）三大环节。从工艺流程上看，首先由碳化硅粉末通过长晶形成晶碇，经过切片、打磨、抛光得到碳化硅衬底；衬底经过外延生长得到外延片；外延片经过光刻、刻蚀、离子注入、沉积等步骤制造成器件。

　　?衬底环节是碳化硅器件制造中*核心环节。切磨抛设备是衬底加工*核心设备。

　　?SiC外延会复制衬底晶体结构，因此外延层缺陷包括来自衬底的缺陷（如微管、贯穿螺型位错TSD、贯穿刃型位错TED、基平面位错BPD），以及生长过程的位错以及宏观缺陷（如掉落物、三角形缺陷、胡萝卜缺陷/彗星型缺陷、浅坑、生长的堆垛层错）。低缺陷、厚外延是主要趋势。

　　?SiC外延主要设备是CVD，MOCVD是新型CVD，沉积温度更低、沉积层多样。CVD分为冷壁和热壁，热壁是主流。SiC-CVD按技术路线可分为单机单腔/单机多腔，单腔单片/单腔多片。

　　?长晶：核心环节，主要包括物理气相传输（Physical Vapor Transport, PVT）、高温化学气相积淀（HTCVD）及液相外延（LPE）。物理气相传输（PVT）是*成熟制备方法。在高温高压条件下，将碳化硅原料气化并沉积在种子晶上，形成碳化硅单晶锭。需**控制各种参数，如温度、压力、气流、硅碳比等，以保证晶体质量和纯度。

　　?切片：将碳化硅单晶锭沿着一定方向切割成薄片。金刚线切割效率高、污染少；激光切片损耗少、效率高。通过激光开槽工艺，先在切划道内开2条细槽，再采用机械刀片划片，有效减小崩边等因素带来的缺陷。以SiC为代表的第三代半导体材料基本采用激光切割划片。

　　?研磨：去除切割造成的表面缺陷和控制晶片厚度。根据研磨目的和精度，可分为粗磨和精磨两个阶段。研磨过程需要使用高硬度磨料，如碳化硼或金刚石粉。

　　?抛光：提高晶片表面光洁度和平整度。抛光也可以分为粗抛和精抛两个阶段。粗抛主要采用机械抛光方式，使用较小粒径的硬磨料，如B4C或金刚石等。精抛主要采用化学机械抛光（CMP）方式，利用化学腐蚀和机械磨损协同作用，实现晶片表面全局平坦化。

　　?在封装环节，纳米银烧结设备是碳化硅封装固化工艺的*核心设备。

　　?SiC产业链70%价值量集中在衬底和外延环节，其中衬底、 外延成本分别占整个器件的47%、23%，后道器件设计、制造、封测环节占30%。

　　参考资料：Yole，东吴证券等

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